Гармонический анализ несинусоидального периодического тока: разложение в тригонометрический ряд, Причины возникновения несинусоидальных напряжений и токов могут быть обусловлены или несинусоидальностью источника питания или (и) наличием в цепи хотя бы одного нелинейного элемента. Кроме того, в основе появления несинусоидальных токов могут лежать элементы с периодически изменяющимися ...
Классическое естествознание, его 1.Мир состоит из неделимых корпускул(атомов), св-ва которых описываются мех. законами.2.Взаимод. атомов осущ. на основе принципа дальнодействия-т.е. передача сил взаимодействия от одного тела к др. осуществл. прямолинейно, мгновенно, на беск. расстоянии с беск. скоростью.3.Все механ. процессы во ...
Параметры взрывоопасности Смесь горючего газа или пыли горючего вещества с воздухом может быть взрывоопасной.
Взрыв - это мгновенное сгорание или разложение вещества с выделением большого количества газов, которые расширяясь оказывают разрушительное воздействие на окружающую среду.
Взрывоопасность смеси газов или пыли ...
Система h-параметров используется как комбинированная система из двух предыдущих, причем из соображений удобства измерения параметров биполярного транзистора выбирается режим короткого замыкания на выходе (U2 = 0) и режим холостого хода на входе (I1 = 0). Поэтому для системы h-параметров в качестве входных параметров задаются ток I1 и напряжение U2, а в качестве выходных параметров рассчитываются ток I2 и напряжение U1, при этом система, описывающая связь входных I1, U2 и выходных I2, U1 параметров, выглядит следующим образом. Рассмотрим связь h-параметров биполярного транзистора в схеме с общей базой с дифференциальными параметрами. Для этого воспользуемся эквивалентной схемой биполярного транзистора на низких частотах, показанной на рисунке 1 а, а также выражениями для вольт-амперных характеристик транзистора в активном режиме. Дифференциальные параметры биполярных транзисторов зависят от режимов их работы. Для схемы с общим эмиттером наибольшее влияние испытывает коэффициент усиления эмиттерного тока h21э в зависимости от тока эмиттера. В области малых токов (микромощный режим) коэффициент усиления уменьшается вследствие влияния рекомбинационной компоненты в эмиттерном переходе, а в области больших токов (режим высокого уровня инжекции) - коэффициент усиления уменьшается вследствие уменьшения коэффициента ... остальная часть текста, формулы, таблицы, изображения скрыты
Для
того чтобы скачать ответ целиком необходимо добавить его
в комплект, нажав на кнопку "Добавить". Добавив
необходимое количество нужных ответов, скачайте комплект.
Оригинал-текста
содержит более 1 стр. информации, рекомендуем использовать в качестве
ответа (сообщения) на семинаре.