Оперативные запоминающие Оперативные запоминающие устройства на электрических схемах обозначаются RAM (Random Access Memory). В ОЗУ коды в соответствии с решаемыми задачами постоянно изменяются и полностью пропадают при выключении питания. ОЗУ подразделяются на статическую SRAM, динамическую DRAM и регистровую память ...
Внешние запоминающие устройства на магнитных и оптических Предназначены для длительного хранения больших объёмов информации. По принципу действия могут быть: ●На магнитных лентах, дисках, ●Накопитель на ЦМД – цилиндрических магнитных доменах, ●Накопители на оптических дисках с лазерной записью и считыванием информации. Принцип действия ...
Постоянные представительства государств при международных Государство в международной организации может быть представлено постоянным представительством и миссией наблюдателей. Их правовое положение определяется прежде всего положениями устава этой организации, нормами Венской конвенции о представительстве государств в их отношениях с международными ...
– многократно программируемыми пользователем (репрограммируемыми РПЗУ) с ультрафиолетовым стиранием EPROM или c электрическим стиранием EEPROM;
– и в виде так называемой флэш-памяти (Flash).
Широкое распространение нашли также программируемые логические матрицы и устройства PLM, PML, PLA, PAL, PLD, FPGA и т.д. с большим выбором логических элементов и устройств на одном кристалле.
В ПЗУ хранятся управляющие работой ЭВМ стандартные программы, константы, таблицы символов и другая информация, которая сохраняется и при выключении компьютера.
Масочные ПЗУ (ROM) получают в заводских условиях с помощью специальных масок, задающих способ соединения отдельных элементов памяти на общем полупроводниковом кристалле. В дальнейшем изменить записанную таким способом программу нельзя.
Однократно программируемое ПЗУ (OTP,PROM) имеет набор плавких перемычек, которые в процессе программирования пережигаются импульсами тока.
Репрограммируемое ПЗУ (EPROM, EEPROM) допускают многократное, до сотен тысяч циклов, перепрограммирования на рабочем месте пользователя. Это свойство обеспечивается применением элементов памяти (ЭП) на МОП-транзисторах с плавающим затвором (толщина изоляции плавающего затвора порядка 200 нм). Информация считается стертой, если на выходах всех ЭП высокий уровень сигнала. В режиме программирования на выбранный по адресной шине ЭП, куда необходимо записать ноль, подается импульс. Стирание осуществляется ультрафиолетовым излучением либо электрическим сигналом. При этом все ячейки переводятся в состояние 1. Записанная информация сохраняется в течение нескольких лет.
Флэш-память основана на применении МНОП-транзисторов с комбинированной нитридно-оксидной изоляцией затвора. ... остальная часть текста, формулы, таблицы, изображения скрыты
Для
того чтобы скачать ответ целиком необходимо добавить его
в комплект, нажав на кнопку "Добавить". Добавив
необходимое количество нужных ответов, скачайте комплект.
Оригинал-текста
содержит более 2 стр. информации, рекомендуем использовать в качестве
ответа (сообщения) на семинаре.
