Электропроводность химически чистого полупроводника (например, чистого Ge или чистого Si) называется его собственной проводимостью. Расчет показывает, что у собственного полупроводника μ=EF=ΔЕ/2 (см. рис. 3в). Распределение электронов по уровням валентной зоны и зоны проводимости описывается функцией Ферми-Дирака.
Т.к. средние числа заполнения электронами уровней зоны проводимости малы, то можно пренебречь единицей.
Учитывая все это, получаем < ni>≈exp[-ΔE/(2kT)].
Поскольку проводимость пропорциональна числу носителей
тока, то удельная электропроводность
γ=γ0 exp[-ΔE/(2kT)], (5)
где γ0 - можно считать постоянной. Увеличение проводимости полупроводника с повышением температуры является их характерной особенностью (у металлов с повышением температуры проводимость уменьшается).
Логарифмируя (5), находим, что lnγ=lnγ0-ΔE/(2kT). На рис. 4 приведена зависимость lnγ от 1/T. По углу наклона α этой прямой можно определить ширину запрещенной зоны . ... остальная часть текста, формулы, таблицы, изображения скрыты
Для
того чтобы скачать ответ целиком необходимо добавить его
в комплект, нажав на кнопку "Добавить". Добавив
необходимое количество нужных ответов, скачайте комплект.
