Оперативные запоминающие устройства - Электротехника

Оперативные запоминающие устройства на электрических схемах обозначаются RAM (Random Access Memory). В ОЗУ коды в соответствии с решаемыми задачами постоянно изменяются и полностью пропадают при выключении питания. ОЗУ подразделяются на статическую SRAM, динамическую DRAM и регистровую память RG.

В ОЗУ статического типа SRAM в качестве элементов памяти используются простейшие RS- или D-триггеры. Такие ОЗУ характеризуются весьма высоким быстродействием и используются в наиболее «узких» местах микропроцессорной системы, например в сверхоперативной памяти при кратковременном хранении промежуточных результатов, в различных регистрах, кэш-памяти и т.п. Статическая память может быть синхронной и асинхронной. В асинхронной памяти выдача и прием информации определяется подачей комбинационных сигналов. В синхронной памяти выдача и прием информации тактируется.

В ОЗУ динамического типа DRAM в качестве элемента памяти используется микроконденсатор в интегральном исполнении, размеры которого значительно меньше D-триггера статической памяти. По этой причине при одинаковых размерах кристалла информационная емкость DRAM выше, чем SRAM. При этом число адресных входов и габариты должны увеличиться. Чтобы не допустить этого, адресные линии внутри микросхемы разбиваются на две группы, например старшая и младшая половина. Две одноименные k-линии каждой группы подключаются к двум выходам внутреннего k-го демультиплексора 1 в 2, а его вход соединяется с k-м адресным входом микросхемы. Число адресных входов, при этом уменьшается в два раза, но зато передача адреса в микросхему производится, во-первых, в два приема, что несколько уменьшает быстродействие, и, во-вторых, требуется дополнительный внешний мультиплексор адреса. В процессе хранения бита конденсатор разряжается. Чтобы этого не допустить, заряд необходимо поддерживать (обеспечивать регенерацию хранимой информации). ... остальная часть текста, формулы, таблицы, изображения скрыты